先进封装技术成半导体竞争新焦点,台(积电CoPoS与英特尔EMIB-T领衔A)I芯片革新浪潮

半导体行业正经历深刻变革,先进封装技术已成为全球晶圆大厂竞相布局的战略高地。在摩尔定律逼近物理极限的背景下,传统制程微缩面临严峻挑战,而先进封装技术通过高密度集成、微型化设计和成本优化等优势,完美契合了芯片向更小尺寸、更高性能、更低功耗发展的需求,成为延续和超越摩尔定律的关键突破口。

当前行业格局中,除已广受关注的CoWoS技术外,CoPoS、EMIB-T等创新封装方案相继涌现,各大厂商正加速推进技术研发和产能布局。台积电凭借CoPoS技术实现"化圆为方"的突破性创新,通过采用310x310毫米方形面板设计,显著提升基板利用率并降低15%-20%的生产成本。其嘉义AP7厂区将成为整合SoIC、CoPoS等前沿技术的核心基地,预计2028-2029年实现量产。

英特尔则在EMIB技术基础上推出升级版EMIB-T方案,通过引入硅通孔(TSV)技术优化供电和数据传输,支持HBM4等高性能内存。联电积极布局W2W 3D IC封装,在新加坡建立2.5D封装产线并掌握晶圆键合关键技术。三星开发的SAINT技术体系通过垂直堆叠方式实现DRAM与逻辑芯片的3D集成,正在韩国天安建设专用HBM封装工厂。

AI和HBM需求的爆发式增长正强力驱动封装技术创新。HBM4的封装方式正从2.5D水平连接向3D垂直堆叠演进,各大厂商的方案都在着力解决高带宽内存与处理器的集成挑战。台积电的CoWoS/CoPoS、英特尔的EMIB-T以及三星的SAINT技术,都在通过优化互连架构提升数据传输效率和系统性能。

随着人工智能应用对计算能力和内存带宽的要求持续攀升,先进封装技术将成为决定芯片性能的关键因素。全球半导体巨头正围绕HBM集成展开新一轮技术竞赛,以抢占AI时代的市场先机。这场封装技术的革新浪潮,正在重塑半导体产业的技术格局和发展路径。

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