金线偏移问题分析

在IC封装过程中，金线偏移是较为常见的工艺缺陷。当偏移量超过允许范围时，可能导致相邻金线接触引发短路，严重时甚至会造成金线断裂形成开路。造成这一问题的因素主要包括：树脂流动产生的拖曳力、导线架变形、气泡移动干扰、保压参数异常以及填充物碰撞等。随着集成电路引脚数量的增加，金线密度不断提升，这一问题愈发突出。为有效控制金线偏移，需要优化封装材料选择，精确控制工艺参数，降低模腔内应力。

芯片开裂风险与检测

采用单晶硅材料的IC裸芯片虽然强度较高，但脆性大易开裂。在晶圆减薄、切割、贴装等工艺环节中，外力作用容易导致芯片产生裂纹。值得注意的是，部分存在裂纹的芯片在常规检测中可能表现正常，但会严重影响产品的长期可靠性。通过高低温热循环测试可以暴露这类隐患，该测试利用材料热膨胀系数差异产生的应力促使裂纹扩展。针对这一问题，建议采用激光切割等先进工艺，并严格控制键合参数，以降低工艺应力。

界面开裂与基板裂纹

材料界面处的开裂问题同样不容忽视。初期可能不影响电气性能，但随着热应力和腐蚀作用会逐渐恶化。这类缺陷多源于封装应力过大或材料污染。在倒装焊工艺中，基板裂纹是常见失效模式，可能由材料缺陷或焊接参数不当引起。需要特别注意键合力、温度控制和超声功率等关键参数的匹配。

再流焊工艺缺陷

再流焊过程中容易出现晶圆翘曲问题，主要源于材料热膨胀系数差异导致的应力失衡。通过优化焊膏印刷精度、器件放置工艺以及材料选择等措施可以改善。锡珠是另一常见缺陷，与模板设计、印刷工艺和锡膏处理密切相关。建议控制模板开口尺寸，确保锡膏回温充分，并优化温度曲线参数。

焊接空洞与其他缺陷

焊点空洞多由焊膏含氧量高、受潮或氧化等因素造成。需要严格控制存储环境和使用条件。此外，再流焊还可能出现焊料不足、桥连、虚焊等多种缺陷，部分隐性缺陷需借助X射线等专业设备才能检测发现。

本文内容源自"学习那些事"专栏，作者前路漫漫

一起混过的日子是改名了吗

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