本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）整合报道

行业专家近日对韩美半导体的技术路线图提出质疑，认为其混合键合技术规划至2029年才落地的进度"过于保守"。当前，该公司正全力推进热压键合机（TCB）的量产工作，以抢占AI驱动的高带宽内存（HBM）市场先机。

TCB 4量产启动，瞄准HBM4市场机遇

随着SK海力士、三星电子和美光计划在2025年底扩大HBM4产能，韩美半导体适时推出升级版TC Bonder 4。这款于2024年5月发布原型机的设备现已具备量产条件，配套生产线也已准备就绪。相较于HBM3E，HBM4在数据传输速度上提升60%，功耗降低30%，支持16层堆叠，单die容量提升至32Gb，TSV I/O数量翻倍至2048个。

为应对HBM4复杂的堆叠需求，TCB 4在键合精度和结构稳定性方面进行了重点升级，同时优化了软件系统以提升用户体验。值得注意的是，韩美选择改进现有架构而非采用无助焊剂方案，以控制成本并加快产品上市速度。据业内消息，公司特别组建了50余人的"银凤凰"专家团队，专门负责TCB 4的客户支持及下一代产品研发。

混合键合技术路线遭质疑

尽管TCB战略能暂时满足HBM4/HBM5需求，但韩美公布的混合键合技术规划引发担忧：2027年推出HBM5用TCB 5，2028年推出HBM6用无助焊剂TCB，直至2029年才推出HBM7用混合键合机。行业分析师指出，其荷兰竞争对手Besi已获得两家主要HBM厂商的混合键合设备订单，表明技术迭代正在加速。

混合键合技术通过铜对铜直接连接取代传统凸点互连，能在微小空间实现超高密度集成。该工艺要求对芯片表面进行特殊处理，沉积超薄介电层并制备微纳级铜垫，从而实现更快传输速度、更低功耗和更高集成度。Besi的季度报告证实已接到HBM4相关订单，标志着该技术正从逻辑芯片向内存领域扩展。

战略布局还是技术滞后？

有观点认为韩美可能采取战略性延迟。今年1月，公司在仁川开建的第七工厂已明确转型为混合键合专用研发中心。业内人士分析，JEDEC放宽HBM4堆叠标准让内存厂商得以延续TCB方案，这为韩美争取了技术优化时间窗口。

然而风险在于，若行业加速采用混合键合解决未来HBM的散热和堆叠难题，韩美对传统技术的依赖可能削弱其长期竞争力。这家成立于1980年的企业长期专注半导体封装设备，在热压键合、晶圆级封装等领域具有技术优势，现为全球主要存储器厂商的重要供应商。

作为对比，Besi作为半导体组装设备龙头，其产品以高精度、高可靠性和低拥有成本著称，服务范围覆盖电子、汽车、工业等多个领域，客户包括顶尖半导体制造商和电子企业。

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