J(EDEC正式发布LPDDR6内存标准,性能提升50%+骁龙8 Elite G)en2将首发搭载

半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)综合报道

JEDEC固态技术协会近日正式发布JESD209-6标准,即最新一代低功耗双倍数据速率6(LPDDR6)内存规范。这一新标准在性能表现、能源效率及安全性能等多个维度实现显著突破,标志着移动内存技术迈入全新发展阶段。

在性能方面,LPDDR6创新性地采用双子通道架构,在维持32字节精细访问粒度的同时,通过多项技术优化实现更灵活的操作性能。其核心特性包括:每芯片集成2个子通道,每个子通道配置12条数据信号线(DQs)以优化通道性能;精简至4条命令/地址(CA)信号的设计既减少了焊球数量,又提升了数据访问效率;特有的静态效率模式可有效支持大容量内存配置;支持32B和64B动态访问的实时突发长度控制技术;以及能根据工作负载智能调整的NT-ODT动态写入技术。

能效表现上,LPDDR6采用更低工作电压的VDD2供电架构,并强制要求双电源设计。其节能技术亮点包括:创新的交替时钟命令输入机制;低频运行时自动降压的DVFSL技术;可根据带宽需求切换的单/双子通道动态效率模式;以及优化的部分自刷新和主动刷新机制。

安全性能方面,新标准引入多项增强措施:支持DRAM数据完整性的行激活计数(PRAC)技术;通过内存分区提升可靠性的隔离元模式;可编程链路保护方案与片上ECC纠错;以及CA奇偶校验、错误清理和MBIST自测试等全套错误检测方案。

产业动态显示,三星电子已宣布将于下半年采用第六代1c DRAM工艺量产LPDDR6内存。1c工艺通过设计优化使晶体管密度和能效比显著提升,冷/热态良品率分别达到50%和60-70%。据悉,高通下一代旗舰芯片"骁龙8 Elite Gen2"将成为首批支持LPDDR6的商用平台,预计在9月23日的骁龙峰会上正式亮相。

当前市场中的LPDDR5系列(包括LPDDR5X/T)已实现9.6Gbps的传输速率,广泛应用于智能手机、轻薄设备等领域。新型LPCAMM2模组的推出,更以其模块化设计推动PC内存市场变革。随着AI应用向终端设备渗透,具备更高带宽和能效的LPDDR6将成为下一代智能设备的核心竞争力。

三星正加速1c DRAM产能布局,计划年底前完成华城工厂新产线建设,并同步开发DDR与LPDDR产品线。通过构建覆盖AI全场景的内存解决方案,三星旨在巩固其在高端存储市场的技术领先优势。

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